Транзистори польові ВЧ/НВЧ

Код товару: 42924
0
N-Channel 30 V 25A (Ta), 28A (Tc) 3.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)..
48.78 грн.
Ціна з ПДВ: 48.78 грн.
Код товару: 42925
0
P-Channel 30 V 24A (Tc) 4.1W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)..
35.77 грн.
Ціна з ПДВ: 35.77 грн.
Код товару: 42315
0
RF Power Transistor DC-6 GHz 30 Watt 50 V Gain 15,8 dB GaN HEMT..
9 552.75 грн.
Ціна з ПДВ: 9 552.75 грн.
Код товару: 43122
0
DC – 12 GHz, 32 V, 5 W GaN RF Transistor, QFN-16 (3x3mm)..
1 747.95 грн.
Ціна з ПДВ: 1 747.95 грн.
Код товару: 42997
0
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.045-6 GHz; MiniPak-4 (1,4x1,18x0,85mm) ;:P1dB=18.4 dBm, IP3=31,4 dBm, Nf=0,6 dB @(2.0 GHz, +3V/+4V, 60 mA)..
164.63 грн.
Ціна з ПДВ: 164.63 грн.
Код товару: 42339
0
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1482-1 0,001-2 GHz, 30 W, 22 dB, Vds=50 V, Idsx=3,9 A, PAE=65%, LDMOS..
1 219.50 грн.
Ціна з ПДВ: 1 219.50 грн.
Код товару: 8558
0
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.8 dB; Idss=130 mA ATF-10236.pdf..
235.77 грн.
Ціна з ПДВ: 235.77 грн.
Код товару: 4878
0
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET 2-16 GHz P1dB=18 dBm at 12 GHz, Gss=9 dB ATF-26884.pdf..
157.52 грн.
Ціна з ПДВ: 157.52 грн.
Код товару: 15538
0
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 0.45-10GHz; SOT343; @(1,9 GHz, 4V, 60 mA): P-1dB=20.0 dBm, G-1dB=17,5 B, IP3=31,5 dBm, Nf=0.5 dB; Idss=90...145 mA ATF-34143-BLKG.pdf..
154.47 грн.
Ціна з ПДВ: 154.47 грн.
Код товару: 19091
0
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 0.45-10GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 4V, 15 mA): P-1dB=11.0 dBm, G-1dB=11.0 dB, IP3=21.0 dBm, Nf=0.4 dB; Idss=40..80 mA; PAE= ATF-35143-BLKG.pdf..
115.85 грн.
Ціна з ПДВ: 115.85 грн.
Код товару: 19439
0
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.05-6GHz; LPCC8; P-1dB=26,5 dBm, IP3=42 dBm, Nf=1.5 dB; Gss=17 dB(2.0 GHz, 4,5V, 200 mA) ATF-521P8-BLK.pdf..
304.88 грн.
Ціна з ПДВ: 304.88 грн.
Код товару: 10827
0
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 3V, 60 mA): P-1dB=20.4 dBm, IP3=36.2 dBm, Nf=0.5 dB; Idss=1 mkA Lead Free ATF-54143-BLKG.pdf..
182.93 грн.
Ціна з ПДВ: 182.93 грн.
Код товару: 9644
0
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 2,7V, 10 mA): P-1dB=14,4 dBm, IP3=24,2 dBm, Nf=0.6 dB; Idss=0,1 mkA ATF-55143-TR1G.pdf..
60.98 грн.
Ціна з ПДВ: 60.98 грн.
Код товару: 14331
0
Транз. Пол. НВЧ LDMOS SOT538A Uds=65V Id=2,2A P=10W G=18,5dB BLF1043.pdf..
2 412.94 грн.
Ціна з ПДВ: 2 412.94 грн.
Код товару: 27511
0
Транз. Пол. НВЧ 4-Micro-X 12 GHz Super Low Noise FET CE3512K2-C1.pdf..
81.30 грн.
Ціна з ПДВ: 81.30 грн.
Код товару: 29863
0
Транз. Пол. НВЧ 4-Micro-X 20 GHz Super Low Noise FET CE3520K3-C1.pdf..
79.10 грн.
Ціна з ПДВ: 79.10 грн.
Код товару: 30479
0
RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf..
4 878.00 грн.
Ціна з ПДВ: 4 878.00 грн.
Код товару: 22258
0
RF Power Transistor QFN-6 DC-6 GHz 8 Watt 28 V GaN HEMT CGH40006S.pdf..
2 845.50 грн.
Ціна з ПДВ: 2 845.50 грн.
Код товару: 16385
0
Транз. Пол. НВЧ 8,50-9,60 GHz, 4 W Internally Matched Power FET EIC8596-4.pdf..
10 650.30 грн.
Ціна з ПДВ: 10 650.30 грн.
Код товару: 10042
0
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=20,0 dBm, G1dB=13,5 dB, Idss=30..80 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA018A-70.pdf..
376.01 грн.
Ціна з ПДВ: 376.01 грн.
Код товару: 10928
0
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=7,0 dB, Idss=130..320 mA; PAE=40%; @ 12GHz) EPA080A-70.pdf..
817.07 грн.
Ціна з ПДВ: 817.07 грн.
Код товару: 76 38
0
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf..
2 978.08 грн.
Ціна з ПДВ: 2 978.08 грн.
Код товару: 76 37
0
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 120 mA): P-1dB=27.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=200..300 mA; PAE=32% FLK057WG.pdf..
5 259.45 грн.
Ціна з ПДВ: 5 259.45 грн.
Код товару: 10758
0
Транз. Пол. НВЧ 1 W HFET 50-4000 MHZ SOT89 FP2189-G.pdf..
512.19 грн.
Ціна з ПДВ: 512.19 грн.