0.00 грн.
Зробити замовлення
Код товару: 10630
Транз. Пол. ВЧ малошум. SOT89 PHEMT P1dB=27,5 dBm, Gss=17 dB, Nf=1,2 dB, IP3=42dBm, PAE=50% @ 1850 MHz..
357.75 грн.
Ціна з ПДВ: 357.75 грн.
Код товару: 3934
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=16.0 dB, IP3=40.0 dBm, Nf=0.7 dB; Idss=180..265 mA; PAE=
LP750SOT89-3.pdf..
491.71 грн.
Ціна з ПДВ: 491.71 грн.
Код товару: 5370
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=16.0 dB, IP3=40.0 dBm, Nf=0.7 dB; Idss=266..400 mA; PAE=
LP750SOT89-3.pdf..
2 175.42 грн.
Ціна з ПДВ: 2 175.42 грн.
Код товару: 20488
Транз. пол. НВЧ N-channel GaAs FET L Band 2,5 W
MGF0905A.pdf..
1 510.50 грн.
Ціна з ПДВ: 1 510.50 грн.
Код товару: 14197
L&S Band GaAs N-channel FET Pout=36,5 dBm, Gp=14,5 dB, PAE=50% @ 1,9 GHz, Vds=10 V, Ids=800 mA
MGF0915A-01.pdf..
1 669.50 грн.
Ціна з ПДВ: 1 669.50 грн.
Код товару: 22905
Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs 1,6 W FET P1db=32 dBm (typ.), Glp=6 dB @ 12 GHz
mgf2445a.pdf..
5 962.50 грн.
Ціна з ПДВ: 5 962.50 грн.
Код товару: 18455
Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD2 super-low noise HEMT Nf=0.35 dB, Gs=13,5 dB@12GHz
MGF4941AL-01.pdf..
139.13 грн.
Ціна з ПДВ: 139.13 грн.
Код товару: 9615
Транз. пол. потужний ВЧ Pout=300 W, 175 MHz, 14 dB
MRF151G.pdf..
7 950.00 грн.
Ціна з ПДВ: 7 950.00 грн.
Код товару: 32231
RF MOSFET Line 100W, 400MHz, 28V
MRF177.pdf..
5 565.00 грн.
Ціна з ПДВ: 5 565.00 грн.
Код товару: 41123
Транз. пол. ВЧ БМ 2,4 to 2,5 GHz 300 W RF power GaN Transistor..
9 937.50 грн.
Ціна з ПДВ: 9 937.50 грн.
Код товару: 13741
RF Power FET 10 W, 10-450 MHz
MRF6V2010NR1.pdf..
1 136.85 грн.
Ціна з ПДВ: 1 136.85 грн.
Код товару: 28026
Транзистор польовий ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450 MHz, 50 Vdc
MRF6V2150NBR1.pdf..
3 895.50 грн.
Ціна з ПДВ: 3 895.50 грн.
Код товару: 15962
Транз. Пол. НВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
NE3210S01.pdf..
93.02 грн.
Ціна з ПДВ: 93.02 грн.
Код товару: 19898
Транз. пол. потужний ВЧ SOT-89 N-Channel NEWMOS, 32.5 dB, 1.9 GHz, 3.0-6.0 V, 400 mA
NE5500234.pdf..
183.65 грн.
Ціна з ПДВ: 183.65 грн.
Код товару: 10509
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm
PTF180101M.pdf..
775.13 грн.
Ціна з ПДВ: 775.13 грн.
Код товару: 10997
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm
PTF180101S.pdf..
1 468.76 грн.
Ціна з ПДВ: 1 468.76 грн.
Код товару: 10984
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm
PTF180301E.pdf..
2 824.64 грн.
Ціна з ПДВ: 2 824.64 грн.
Код товару: 13675
High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W
PTFA210301E.pdf..
2 775.74 грн.
Ціна з ПДВ: 2 775.74 грн.
Код товару: 29912
Транз. Пол. ВЧ N-Channel, PG-SON-10, 0,9-2,7 MHz, 5 W, 19.5 dB, +225 °C, LDMOS FET
PTFC270101M-V1-R1K.pdf..
755.25 грн.
Ціна з ПДВ: 755.25 грн.
Код товару: 41453
2.7–3.5 GHz, 50 V, 30 W GaN RF Input-Matched Transistor, DFN-8 package (6x5x1,09mm)..
6 558.75 грн.
Ціна з ПДВ: 6 558.75 грн.
Код товару: 9544
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=3,0A; f=0,175GHz; Pout=8 W; Gp>13dB..
343.84 грн.
Ціна з ПДВ: 343.84 грн.
Код товару: 37703
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343 (SC-70-4) Gain = 15.5dB, P1dB = +10.5dBm, Nf=0.45 dB @ 2.4 GHz, Vs=3 V, Id=20 mA
SKY65050-372LF.pdf..
95.40 грн.
Ціна з ПДВ: 95.40 грн.
Код товару: 9456
НВЧ LDMOS тразистор 300-2200 MHZ, 3 W, 19 dB, кераміч. корпус 5,08х4,06х2,28 мм
SLD-1083CZ.pdf..
854.63 грн.
Ціна з ПДВ: 854.63 грн.
Код товару: 10986
НВЧ LDMOS тразистор 2700 MHZ, 10 W, 18 dB, кераміч. корпус 5,08х4,06х2,28 мм
SLD-2083CZ.pdf..
1 772.85 грн.
Ціна з ПДВ: 1 772.85 грн.