0.00 грн.
Оформить заказ
Код товара: 13883
IC MOSFET RF N-CHAN NI-1230
MRF9180R6.pdf..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 24158
RF POWER LDMOS 100W 1.8--2000 MHz
MRFE6VP100HR5.pdf..
5 602.50 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 5 602.50 грн.
Код товара: 30367
РЧ МОП-транзистор Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
MRFE6VP5600HR5.pdf..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 24157
RF POWER LDMOS 25 W, 1.8--2000 MHz
MRFG35003N6AT1.pdf..
1 743.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 1 743.00 грн.
Код товара: 24736
Транзистор полевой ВЧ 3,5 GHz, 3W, 6V MRFG35003N6AT1
MRFG35003N6AT1.pdf..
996.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 996.00 грн.
Код товара: 10985
СВЧ модуль 1600-2400 MHz, 20 W, 26 V
MW4IC2020NBR1.pdf..
3 388.06 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 3 388.06 грн.
Код товара: 19219
RF Power FET N--Channel 10 W, 450-1500 MHz
MW6S010GNR1.pdf..
4 833.92 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 4 833.92 грн.
Код товара: 27382
Транз. Пол. СВЧ 7,7-8,5 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=120 W, PAE: 37% (typ.)..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 31766
Транз. Пол. СВЧ 9-10 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=50 W, PAE: 36% (typ.)..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 31765
Транз. Пол. СВЧ 9-10 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=100 W, PAE: 37% (typ.)..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 29078
Транз. Пол. СВЧ 6,4-7,2 GHz Internally Matched GaN-HEMT, Gp=9 dB, Psat=80 W, PAE: 50% (typ.)..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 27988
Транз. Пол. СВЧ 6,4-7,2 GHz Internally Matched GaN-HEMT, Gp=9 dB, Psat=150 W, PAE: 48% (typ.)..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 29227
Транз. Пол. СВЧ 9,5-10,5 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=8 dB, Pout=100 W, PAE: 35% (typ.)..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 38041
Транз. Пол. СВЧ 8,5-9,6 GHz GaN-HEMT, G=20 dB, Pout=25 W, PAE: 35% (typ.)
NDNM02128.pdf..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 13715
Транз. пол. СВЧ C-band Super Low Noise HJFET, Nf=0,25 dB, G=16 dB @ 4 GHz, Vds=2 V, Id=15 mA, Idss=80 mA
NE334S01.pdf..
224.10 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 224.10 грн.
Код товара: 22533
Транз. Пол. СВЧ SOT-343F L to S Band Low Noise N-Channel HJ-FET, Nf=0,35 dB, Ga=19 dB @ 2 GHz
NE3510M04-A.pdf..
97.11 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 97.11 грн.
Код товара: 18078
RF Power LDMOS MOSFET PowerSO-10, 12,5V, 2,5A, 17dB, 3W
PD55003-E.pdf..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 15897
Транз. пол. мощн. ВЧ SO10RF N-Channel Pout=8 W, 500 MHz, 17 dB, 12.5 V
PD55008-E.pdf..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 18309
Транз. пол. мощн. ВЧ SO10RF N-Channel Pout=25 W, 500 MHz, 14,5 dB, 12 V, Fmax=1 GHz
PD55025-E.pdf..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 13881
N-channel RF Power transistor, Pout=2 W, Gain=15 dB @ 960 MHz / 28 V
PD57002-E.pdf..
0.00 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 0.00 грн.
Код товара: 30188
N-channel RF Power transistor, Pout=18 W, Gain=16,5 dB @ 945 MHz / 28 V PowerSO-10RF-Formed-4
PD57018-E.pdf..
2 270.88 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 2 270.88 грн.
Код товара: 13882
N-channel RF Power transistor, Pout=18 W, Gain=16,5 dB @ 945 MHz / 28 V
PD57018S-E.pdf..
1 386.10 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 1 386.10 грн.
Код товара: 10759
RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz
PD57030-E.pdf..
2 282.50 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 2 282.50 грн.
Код товара: 10806
RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz
PD57030S-E.pdf..
2 153.85 грн.
Нет в наличии
Цена с НДС: 2 153.85 грн.