RFMD

ИМС ВЧ SOT89 DC-4 GHz Cascadable SiGe HBT MMIC Amplifier SGA-5589Z..

DC-3300 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block SGA-6489Z.pdf..

Balanced 1/2 W Medium Power GaAs HBT Amplifier 400-2500 MHz, Gss=12,8 dB, P1dB=28,0 dBm, Nf=5,1 dB, OIP3=47,0 dBm @ 1960 MHz, Id=180-280 mA, Vdmax=6 V SXA-3318BZ.pdf..

Отладочная плата SZA-5044-EVB1.pdf..

Усилитель мощности (SOP-16) 400 МГц, 2 Вт, 33 дБ, (-40°...+85°C)..

Транз. Пол. СВЧ PHEMT; DC-20GHz; P70; @(18.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=20 dBm, G-1dB=9,5 dB, P3=34 dBm, Nfmin=0,8 dB; Idss=40..85 mA; PAE=50% FPD3000SOT89E.pdf..

Траз. пол. ВЧ малошум. SOT89 PHEMT P1dB=30 dBm, Gss=13 dB, Nf=1,3 dB, IP3=45 dBm, PAE=45% @ 1850 MHz FPD3000SOT89E.pdf..

Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-20GHz; P70; @(15.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=23.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=35.0 dBm, Nf=1.5 dB; Idss=106..125 mA; PAE=50% FPD6836P70.pdf..

Транзисторная сборка биполярная SOT363 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe DC-5,5 GHz SGA-3263Z.pdf..

Транзисторная сборка биполярная SOT363 SiGe cascadeable gain block DC-5GHz; P1dB=12,7 dBm, S21=21,5 dB@1,95GHz Lead Free SGA-3563Z.pdf..

Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 12,7dBm SGA-4586Z.pdf..

Транзисторная сборка биполярная SOT363 50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK, Gss=20,5 dB, P1dB=15,6 dBm, OIP3=28,5 dBm@1950 MHz, Vd=3 V, Id=48 mA ..